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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et boîte (TB)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 mA @ 5 V
Mfr:
NXP États-Unis Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
10 V @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Puissance maximale:
400 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
30pF @ 0V
Résistance - le RDS (dessus):
8 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Numéro du produit de base:
J108 Les produits chimiques
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
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À travers le trou
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 mA @ 5 V
Mfr:
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30pF @ 0V
Résistance - le RDS (dessus):
8 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Numéro du produit de base:
J108 Les produits chimiques
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
J108,126
JFET N-Channel 25 V 400 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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