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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
150 μA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 1 μA
Drain actuel (identification) - maximum:
1 MA
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base:
Le KSK59
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
150 μA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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600 mV @ 1 μA
Drain actuel (identification) - maximum:
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base:
Le KSK59
Le KSK595HMTF
JFET N-Channel 1 mA 100 mW Monture de surface SOT-23-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

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