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Définition: Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes de type "A" et d'un système d'aéro

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
500 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
625 mW
Résistance - le RDS (dessus):
100 Ohms
Numéro du produit de base:
J113
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
500 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
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-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
625 mW
Résistance - le RDS (dessus):
100 Ohms
Numéro du produit de base:
J113
Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.
JFET N-Channel 35 V 625 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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