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Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.

Détails de produit

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Définition: Le système de régulation de la tension est utilisé pour la régulation de la tension.

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
CoolSiC™
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 μA @ 1200 V
Mfr:
Infineon Technologies
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO247-3
Drain actuel (identification) - maximum:
26 A
Puissance maximale:
190 W
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Le système de régulation de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
Résistance - le RDS (dessus):
100 mOhms
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
CoolSiC™
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 μA @ 1200 V
Mfr:
Infineon Technologies
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO247-3
Drain actuel (identification) - maximum:
26 A
Puissance maximale:
190 W
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Le système de régulation de l'énergie doit être équipé d'un système de régulation de l'énergie.
Résistance - le RDS (dessus):
100 mOhms
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.
JFET N-Channel 1200 V 26 A 190 W à travers le trou PG-TO247-3