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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
60 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
LS846
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1Pour les appareils à commande numérique
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-72-4
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1 V @ 1 nA
Puissance maximale:
300mW
Mfr:
Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
8pF @ 15V
Emballage / boîtier:
Pour les déchets de métaux, les déchets de métaux doivent être déposés dans un récipient.
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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JFET N-Channel 60 V 300 mW à travers le trou TO-72-4

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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