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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
Le numéro de série:
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20,6 mA @ 10 V
Mfr:
Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
150 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92
Drain actuel (identification) - maximum:
10 mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 135°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
105pF @ 10V
Puissance maximale:
400 mW
Emballage / boîtier:
Pour les appareils à commande numérique, le numéro d'immatriculation est le numéro de série.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
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25 V
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
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JFET P-Channel 25 V 10 mA 400 mW à travers le trou TO-92

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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