produits

Maison > produits > Transistor de triode de diode > Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises en matière d'assurance-emploi soient conformes aux normes de sécurité énoncées au paragraphe 1 du présent article.

Catégories

Composants électroniques IC

(57576)

ST ICS

(683)

RENESAS IC

(105)

Analog Devices l'ADI

(1100)

Texas Instruments National Semiconductor

(1489)

SUR le semi-conducteur Fairchild

(911)

Semi-conducteurs à échelle libre

(495)

Vishay IC

(204)

Composants électroniques d'Infineon

(161)

Circuits intégrés IC

(258)

AOS IC

(545)

Composants électroniques d'Atmel

(130)

Puce d'Altera

(153)

Xilinx IC

(170)

Microcontrôleur MCU

(2101)

Micron ISSI Samsung

(2840)

Transistor de triode de diode

(2061)

UTC ICS DE ROHM

(2643)

Circuit intégré de puce

(1079)

Résistants et condensateurs

(3067)

Contacts

Contacts: Miss. Amy

Téléphone: 86-180-3344-1064

Fax:

Contact maintenant

Expédiez-nous

Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises en matière d'assurance-emploi soient conformes aux normes de sécurité énoncées au paragraphe 1 du présent article.

Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: JFET 2N-CH 50V 8SOIC

Obtenez le meilleur prix

Détails de produit

Description de produit

Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET	Type de FET:	N-canal 2 (double)
statut du produit:	Actif	Tension - panne (V (BR) GSS):	50 V
Type de montage:	Monture de surface	Le paquet:	Tuyaux
Série:	Les résultats de l'enquête	Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):	500 μA @ 10 V
Mfr:	Systèmes intégrés linéaires, Inc.	Tension - identification de la coupure (VGS) @:	500 mV @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	8-SOIC	Emballage / boîtier:	8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Température de fonctionnement:	-55°C à 150°C (TJ)	La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:	8pF @ 15V
Puissance maximale:	300mW	Voltage d'évacuation à la source (Vdss):	50 V

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:	N-canal 2 (double)
statut du produit:	Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):	50 V
Type de montage:	Monture de surface
Le paquet:	Tuyaux
Série:	Les résultats de l'enquête
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):	500 μA @ 10 V
Mfr:	Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:	500 mV @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	8-SOIC
Emballage / boîtier:	8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Température de fonctionnement:	-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:	8pF @ 15V
Puissance maximale:	300mW
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):	50 V

Les États membres doivent veiller à ce que les mesures prises en matière d'assurance-emploi soient conformes aux normes de sécurité énoncées au paragraphe 1 du présent article.

JFET 2 N-Channel (double) 50 V 300 mW Monture de surface 8-SOIC

Tags: