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Définition: JFET N-canal -30V faible bruit

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
IF170
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
InterFET
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Emballage / boîtier:
Le SOT-23-3
Puissance maximale:
350 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
15pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
80 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
IF170
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
InterFET
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Emballage / boîtier:
Le SOT-23-3
Puissance maximale:
350 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
15pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
80 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
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JFET N-Channel 350 mW Monture de surface SOT-23-3