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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
U309
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
12 mA @ 10 V
Mfr:
Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1 V @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-18-3
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4pF @ 10V
Puissance maximale:
500 mW
Résistance - le RDS (dessus):
35 Ohms
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Type de FET:
N-canal
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25 V
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4pF @ 10V
Puissance maximale:
500 mW
Résistance - le RDS (dessus):
35 Ohms
U309 à 18 3L
JFET N-Channel 25 V 500 mW à travers le trou TO-18-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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