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Maison > produits > Transistor de triode de diode > Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome.
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Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome.
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Définition: Le système d'aiguillage doit être équipé d'un système de freinage.

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de type VFDFN:
Mfr:
Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
7.5 V @ 1 μA
Puissance maximale:
350 mW
Drain actuel (identification) - maximum:
10 mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 135°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
13pF @ 20V
Résistance - le RDS (dessus):
50 Ohms
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-DFN (2x2)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome.
JFET P-Channel 40 V 10 mA 350 mW Monture de surface 8-DFN (2x2)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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