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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
650 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Mfr:
Qorvo
Puissance maximale:
190 W
Drain actuel (identification) - maximum:
32 A
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
630pF @ 100V
Résistance - le RDS (dessus):
95 mOhms
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-3
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
650 V
Numéro du produit de base:
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
650 V
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JFET N-Channel 650 V 32 A 190 W à travers le trou TO-247-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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