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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 μA @ 1200 V
Mfr:
Qorvo
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-3
Drain actuel (identification) - maximum:
34 A
Puissance maximale:
254 W
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Résistance - le RDS (dessus):
55 mOhms
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Numéro du produit de base:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin.
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
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N-canal
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Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
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-
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Mfr:
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Drain actuel (identification) - maximum:
34 A
Puissance maximale:
254 W
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Résistance - le RDS (dessus):
55 mOhms
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
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Numéro du produit de base:
Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin.
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:
JFET N-Channel 1200 V 34 A 254 W à travers le trou TO-247-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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