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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal 2 (double)
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
60 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
LS840
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 μA @ 20 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-78-6
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1 V @ 1 nA
Puissance maximale:
400 mW
Mfr:
Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
10pF @ 20V
Emballage / boîtier:
Le métal TO-78-6 peut
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal 2 (double)
statut du produit:
Actif
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60 V
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JFET 2 N-Channel (double) 60 V 400 mW à travers le trou TO-78-6

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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