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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Mfr:
Systèmes intégrés linéaires, Inc.
Puissance maximale:
200 mW
Drain actuel (identification) - maximum:
25 mA
Température de fonctionnement:
-55°C | 125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
8pF @ 10V
Emballage / boîtier:
Pour les déchets de métaux, les déchets de métaux doivent être déposés dans un récipient.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-72-4
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-72-4
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
LS320 à 72 4L
JFET P-Channel 25 mA 200 mW à travers le trou TO-72-4

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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