Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes	statut du produit:	Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):	Le nombre de fois où la valeur de l'indicateur est supérieure à:	Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1,8 V @ 100 A	Le paquet:	Tuyaux
Série:	SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques	Configuration de la diode:	2 Indépendant
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le SOT-227	Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Semi-conducteur GeneSiC	Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:	Il s'agit de SOT-227-4, miniBLOC	Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques
Type de montage:	Montage du châssis	Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	GB2X100	Courant - Fuite inverse @ Vr:	80 μA @ 1200 V

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:	Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):	Le nombre de fois où la valeur de l'indicateur est supérieure à:
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1,8 V @ 100 A
Le paquet:	Tuyaux
Série:	SiC Schottky MPSTM, qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques
Configuration de la diode:	2 Indépendant
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le SOT-227
Temps de récupération inverse (trr):	0 ans
Mfr:	Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:	Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:	Il s'agit de SOT-227-4, miniBLOC
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour les appareils électroniques
Type de montage:	Montage du châssis
Vitesse:	Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:	GB2X100
Courant - Fuite inverse @ Vr:	80 μA @ 1200 V