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Définition: DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
150 μA @ 1200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,8 V @ 5 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Z-Rec®
Capacité @ Vr, F:
390pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-252-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
19A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
C4D05120
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
150 μA @ 1200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,8 V @ 5 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Z-Rec®
Capacité @ Vr, F:
390pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-252-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
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Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
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-55°C à 175°C
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TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
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19A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
C4D05120
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Diode 1200 V 19A Monture de surface TO-252-2

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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