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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-3C08ET07T-M3

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
45 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.5 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
340pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220AC
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
45 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.5 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
340pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220AC
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
VS-3C08ET07T-M3
Diode 650 V 8A à travers le trou TO-220AC