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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

NTE117

Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26

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Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
400 μA @ 600 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.2 V @ 500 mA
Le paquet:
Sac
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de l'industrie de la construction
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où elles sont utilisées.
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
750mA
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
400 μA @ 600 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.2 V @ 500 mA
Le paquet:
Sac
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de l'industrie de la construction
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où elles sont utilisées.
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
750mA
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE117
Diode 600 V 750 mA à travers le trou DO-26