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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

NTE629

Détails de produit

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Définition: R-SI DUAL 200V 16A 150NS

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Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
8A
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.3 V @ 8 A
Le paquet:
Sac
Série:
-
Configuration de la diode:
2 Indépendant
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220
Temps de récupération inverse (trr):
150 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Type de montage:
À travers le trou
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
10 μA @ 200 V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
8A
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.3 V @ 8 A
Le paquet:
Sac
Série:
-
Configuration de la diode:
2 Indépendant
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220
Temps de récupération inverse (trr):
150 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Type de montage:
À travers le trou
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
10 μA @ 200 V
NTE629
Diode 2 indépendante 200 V 8A à travers le trou TO-220-3