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Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement.

Détails de produit

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Définition: DIODE GP 85V 215MA DFN1006-2L

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,25 V à 150 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de points de contrôle
Temps de récupération inverse (trr):
3 μs
Mfr:
Micro Commercial Co.
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
0402 (1006 métriques)
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
85 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
215 mA
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
BAS116
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,25 V à 150 mA
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de points de contrôle
Temps de récupération inverse (trr):
3 μs
Mfr:
Micro Commercial Co.
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 150°C
Emballage / boîtier:
0402 (1006 métriques)
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
85 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
215 mA
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
BAS116
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'équipement.
Diode 85 V 215mA Monture de surface DFN1006-2L