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Définition: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 μA @ 600 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
2,3 V @ 4 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacité @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO252-3
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
4a
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
IDD04SG60
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 μA @ 600 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
2,3 V @ 4 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacité @ Vr, F:
80pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO252-3
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
4a
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
IDD04SG60
Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.
Diode 600 V 4A montée à la surface PG-TO252-3