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Définition: DIODE GEN PURP 1KV 1A F1A

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.1 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
FS
Capacité @ Vr, F:
7.6pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
F1A (DO219AA)
Temps de récupération inverse (trr):
1.6 μs
Mfr:
Diodes incorporées
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-219AA
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.1 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
FS
Capacité @ Vr, F:
7.6pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
F1A (DO219AA)
Temps de récupération inverse (trr):
1.6 μs
Mfr:
Diodes incorporées
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-219AA
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
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Le diode 1000 V 1A est monté sur la surface F1A (DO219AA)