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Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-1

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
µA 40 @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.95 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
CoolSiC™+
Capacité @ Vr, F:
365pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'hectares de la zone de répartition est de:
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Pour les appareils de surveillance de la sécurité
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
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Courant - Fuite inverse @ Vr:
µA 40 @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.95 V @ 8 A
Le paquet:
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Série:
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Capacité @ Vr, F:
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Emballage / boîtier:
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Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
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Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Pour les appareils de surveillance de la sécurité
L'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de la qualité.
Diode 1200 V 8A à travers le trou PG-TO220-2-1

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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