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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

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Définition: DIODE SIL CARBURE DE SILICIUM 650V TO247-3

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
95 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 16 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Z-Rec®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-3
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
C3D16065
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
95 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 16 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Z-Rec®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-3
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
C3D16065
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Diode 650 V à travers le trou TO-247-3