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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MURT10060

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Définition: Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
50A
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 100 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Configuration de la diode:
1 couple de cathodes commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Trois tours
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
Trois tours
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Type de montage:
Montage du châssis
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 μA @ 50 V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
50A
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 100 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Configuration de la diode:
1 couple de cathodes commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Trois tours
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
Trois tours
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
600 V ou plus
Type de montage:
Montage du châssis
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 μA @ 50 V
MURT10060
Diode 1 couple cathode commune 600 V 50 A châssis montée trois tour