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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
19.8A (DC)
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 5 A
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Configuration de la diode:
1 couple de cathodes commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247AB
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Technologie Énergétique Globale - GPT
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
À travers le trou
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Actif
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
19.8A (DC)
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
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Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Configuration de la diode:
1 couple de cathodes commune
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Temps de récupération inverse (trr):
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À travers le trou
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Le G3S12010BM
Diode 1 couple cathode commune 1200 V 19.8A (DC) à travers le trou TO-247-3

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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