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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4448TAP

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Définition: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 75 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
720 mV @ 5 mA
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de la sous-famille:
Temps de récupération inverse (trr):
8 ans
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement des eaux usées, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
150 mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
Numéro du produit de base:
1N4448
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 75 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
720 mV @ 5 mA
Le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de la sous-famille:
Temps de récupération inverse (trr):
8 ans
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement des eaux usées, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
150 mA
Vitesse:
Signal faible = < 200 mA (Io), à n'importe quelle vitesse
Numéro du produit de base:
1N4448
1N4448TAP
Diode 75 V 150 mA à travers le trou DO-35 (DO-204AH)