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Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.35 V @ 20 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
970pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de points de contrôle est le suivant:
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
41A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
IDH20G65
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
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Type de montage:
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Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
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Capacité @ Vr, F:
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Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
41A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
IDH20G65
Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.
Diode 650 V 41A à travers le trou PG-TO220-2

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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