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Le groupe MURT10010R

Détails de produit

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Définition: Module de diode 100V 50A 3tours

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Dépassé
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
50A
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,3 V @ 50 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Configuration de la diode:
1 paire d'anode commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Trois tours
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
Trois tours
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
Montage du châssis
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 μA @ 50 V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:
Dépassé
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):
50A
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,3 V @ 50 A
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Configuration de la diode:
1 paire d'anode commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Trois tours
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Semi-conducteur GeneSiC
Technologie:
La norme
Emballage / boîtier:
Trois tours
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Type de montage:
Montage du châssis
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Courant - Fuite inverse @ Vr:
25 μA @ 50 V
Le groupe MURT10010R
Réseau de Diodes 1 Paire Anode Commune 100 V 50A Montage sur Châssis Trois Tours