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Définition: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	1 μA @ 600 V	Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.3 V @ 1 A	Le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT)
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	12pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le DO-41	Temps de récupération inverse (trr):	250 ns
Mfr:	Panjit International Inc.	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 150°C	Emballage / boîtier:	Pour les appareils à commande numérique:
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	600 V ou plus	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	1A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)	Numéro du produit de base:	Produits à base de plantes

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	1 μA @ 600 V
Type de montage:	À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.3 V @ 1 A
Le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT)
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	12pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Le DO-41
Temps de récupération inverse (trr):	250 ns
Mfr:	Panjit International Inc.
Technologie:	La norme
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Emballage / boîtier:	Pour les appareils à commande numérique:
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	1A
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
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Le nombre d'émissions de CO2

Diode 600 V 1A à travers le trou DO-41

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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