Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes	statut du produit:	Dépassé
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):	10A	Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.2 V @ 10 A	Le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:	-	Configuration de la diode:	1 couple de cathodes commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Pour les appareils électroniques, le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.	Temps de récupération inverse (trr):	35 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Division des diodes	Technologie:	La norme
Emballage / boîtier:	TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB	Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour l'électricité
Type de montage:	Monture de surface	Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:	UHB20	Courant - Fuite inverse @ Vr:	5 μA @ 300 V

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Réglages de diodes
statut du produit:	Dépassé
Courant - moyenne rectifiée (Io) (par diode):	10A
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 175°C
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.2 V @ 10 A
Le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:	-
Configuration de la diode:	1 couple de cathodes commune
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Pour les appareils électroniques, le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.
Temps de récupération inverse (trr):	35 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:	La norme
Emballage / boîtier:	TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	Pour l'électricité
Type de montage:	Monture de surface
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:	UHB20
Courant - Fuite inverse @ Vr:	5 μA @ 300 V