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Définition: DIODE SIL CARB 650V 30A TO263-2

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
20 μA @ 650 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
518 pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-263-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
30A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
20 μA @ 650 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.4 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
518 pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-263-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
30A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Diode 650 V 30A montée à la surface TO-263-2