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Définition: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.85 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
8.2pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de points de contact doit être le même que le nombre de points de contact de l'appareil.
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Avalanche
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
DO-219AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.85 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
8.2pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre de points de contact doit être le même que le nombre de points de contact de l'appareil.
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Avalanche
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
DO-219AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Le diode 800 V 1A est monté sur la surface DO-219AB (SMF)