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NXPSC08650X6Q: les données sont fournies par le système de contrôle de la sécurité.
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Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE SIL CARBURE DE SILICIUM 650V 8A TO220F

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
La dernière fois que j'ai acheté
Courant - Fuite inverse @ Vr:
230 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
260pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220F
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteurs de WeEn
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Emballage / boîtier:
TO-220-2 Pack complet, comprimé isolé
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
NXPSC
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
La dernière fois que j'ai acheté
Courant - Fuite inverse @ Vr:
230 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.7 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
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Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
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Emballage / boîtier:
TO-220-2 Pack complet, comprimé isolé
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
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Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
NXPSC
NXPSC08650X6Q: les données sont fournies par le système de contrôle de la sécurité.
Diode 650 V 8A à travers le trou TO-220F

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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