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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SCS312AHGC9

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Définition: DIODE SIL CARB 650V 12A à 220ACP

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
600 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220ACP
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
12A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
SCS312
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
600 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220ACP
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
12A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
SCS312
SCS312AHGC9
Diode 650 V 12A à travers le trou TO-220ACP