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SCS308APC9 Pour les appareils électroniques

Détails de produit

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Définition: DIODE SILICIUM CARBURE 650V 8A

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Courant - Fuite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.5 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
400 pF @ 1V, 1MHz
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
SCS308
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Courant - Fuite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.5 V @ 8 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
400 pF @ 1V, 1MHz
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
175°C (maximum)
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
8A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
SCS308
SCS308APC9 Pour les appareils électroniques
Diode 650 V 8A à travers trou