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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MUR1100EG

Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 1KV 1A axiale

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
10,75 V @ 1 A
Le paquet:
Le volume
Série:
SWITCHMODE™
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
axiale
Temps de récupération inverse (trr):
100 ns
Mfr:
Uniseme
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Pour les appareils à commande numérique:
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
MUR1100
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
10,75 V @ 1 A
Le paquet:
Le volume
Série:
SWITCHMODE™
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
axiale
Temps de récupération inverse (trr):
100 ns
Mfr:
Uniseme
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
Pour les appareils à commande numérique:
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
MUR1100
MUR1100EG
Diode 1000 V 1A à travers l'axe du trou