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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD qui est utilisé pour la fabrication de diodes électroniques

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.3 V @ 3 A
Le paquet:
Sac
Série:
RGP30
Capacité @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DO-201AD
Temps de récupération inverse (trr):
500 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-
Emballage / boîtier:
DO-201AD, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.3 V @ 3 A
Le paquet:
Sac
Série:
RGP30
Capacité @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DO-201AD
Temps de récupération inverse (trr):
500 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-
Emballage / boîtier:
DO-201AD, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
RGP30M
Diode 1000 V 3A à travers le trou DO-201AD

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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