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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: Diode de barrière à l'électricité de 650 V

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,6 V @ 12 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
529pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220AC
Mfr:
Panjit International Inc.
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
12A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le PCDP1265
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1,6 V @ 12 A
Le paquet:
Tuyaux
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
529pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-220AC
Mfr:
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Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-220-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
12A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le PCDP1265
Le nombre d'établissements d'enseignement supérieur
Diode 650 V 12A à travers le trou TO-220AC

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

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