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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6638US

Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D qui est utilisé pour la fabrication de produits chimiques

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.1 V @ 200 mA
Le paquet:
Le volume
Série:
Le produit doit être présenté à l'essai.
Capacité @ Vr, F:
2Pour les appareils de surveillance des fréquences, voir le paragraphe 4.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-5D
Temps de récupération inverse (trr):
4,5 NS
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, D
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
125 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
300 mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6638
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
Pour les appareils à commande numérique
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.1 V @ 200 mA
Le paquet:
Le volume
Série:
Le produit doit être présenté à l'essai.
Capacité @ Vr, F:
2Pour les appareils de surveillance des fréquences, voir le paragraphe 4.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D-5D
Temps de récupération inverse (trr):
4,5 NS
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
SQ-MELF, D
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
125 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
300 mA
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N6638
1N6638US
Diode 125 V 300 mA Monture de surface D-5D