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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.

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Définition: DIODE SIL CARB 650V 11,5A à 247

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
421 pF @ 1V, 100 kHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Uniseme
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
11.5A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
40 μA @ 650 V
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
421 pF @ 1V, 100 kHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-2
Temps de récupération inverse (trr):
0 ans
Mfr:
Uniseme
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Emballage / boîtier:
TO-247-2
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
650 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
11.5A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le nombre de personnes concernées
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
Diode 650 V 11.5A à travers le trou TO-247-2