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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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IDK20G120C5XTMA1

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Définition: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
123 µA @ 1200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 20 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacité @ Vr, F:
1050 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
56A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le numéro de série
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
123 µA @ 1200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.8 V @ 20 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
CoolSiC™+
Capacité @ Vr, F:
1050 pF @ 1V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PG-TO263-2-1
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (carbure de silicium) Schottky
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
56A
Vitesse:
Pas de temps de récupération > 500 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le numéro de série
IDK20G120C5XTMA1
Diode 1200 V 56A montée à la surface PG-TO263-2-1