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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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HS1DDF-13

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Définition: DIODE GEN PURP 200V 1A DFLAT

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.1 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
16pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le D-Flat
Temps de récupération inverse (trr):
15 NS
Mfr:
Diodes incorporées
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
2-SMD, avance plate
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
HS1D
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.1 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
16pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le D-Flat
Temps de récupération inverse (trr):
15 NS
Mfr:
Diodes incorporées
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
2-SMD, avance plate
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
HS1D
HS1DDF-13
Diode 200 V 1A Monture de surface D-plat