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Définition: DIODE GP 600V 800MA sous SMA

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Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples	statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	5 μA @ 600 V	Type de montage:	Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.3 V @ 800 mA	Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-	Capacité @ Vr, F:	10pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Sous-SMA	Temps de récupération inverse (trr):	250 ns
Mfr:	Taïwan Semiconductor Corporation	Technologie:	La norme
Température de fonctionnement - jonction:	-55°C à 150°C	Emballage / boîtier:	DO-219AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	600 V ou plus	Courant - Moyenne rectifiée (Io):	800mA
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)	Numéro du produit de base:	R1J

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:	Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:	5 μA @ 600 V
Type de montage:	Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:	1.3 V @ 800 mA
Le paquet:	Tape et bobine (TR)
Série:	-
Capacité @ Vr, F:	10pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	Sous-SMA
Temps de récupération inverse (trr):	250 ns
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Technologie:	La norme
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Emballage / boîtier:	DO-219AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:	600 V ou plus
Courant - Moyenne rectifiée (Io):	800mA
Vitesse:	Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:	R1J

Rs1jl m2g

Diode 600 V 800 mA montée à la surface sous SMA

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

32 composants électroniques mordus d'OEM de microcontrôleur,

St ICS de microcontrôleur mordu par 32

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