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Définition: Le débit de CO2 doit être supérieur à 200 V.

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Description de produit
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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.15 V @ 2,5 A
Le paquet:
Tape et boîte (TB)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOD-57
Temps de récupération inverse (trr):
4µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Avalanche
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
SOD-57, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N5059
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.15 V @ 2,5 A
Le paquet:
Tape et boîte (TB)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOD-57
Temps de récupération inverse (trr):
4µs
Mfr:
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Technologie:
Avalanche
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
SOD-57, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
1N5059
1N5059TAP
Diode 200 V 2A par trou SOD-57

Tags:

Composants électroniques d'OEM STM32L073V8T6,

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