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Définition: DIODE GEN PURP 1,2 KV 1A SOD57

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
3.4 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOD-57
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
SOD-57, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
SF1200
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
3.4 V @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOD-57
Temps de récupération inverse (trr):
75 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
SOD-57, axial
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
SF1200
Le numéro de série
Diode 1200 V 1A à travers le trou SOD-57