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Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante:

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
10 μA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.6 V @ 3 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
eSMP®
Capacité @ Vr, F:
44pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-277A (SMPC)
Temps de récupération inverse (trr):
140 NS
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Avalanche
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-277, 3-PowerDFN
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.8A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
AR3
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
10 μA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.6 V @ 3 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
eSMP®
Capacité @ Vr, F:
44pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-277A (SMPC)
Temps de récupération inverse (trr):
140 NS
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
Avalanche
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-277, 3-PowerDFN
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1.8A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
AR3
Le nombre d'unités de traitement est déterminé par la méthode suivante:
Diode 200 V 1.8A montée à la surface TO-277A (SMPC)