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Définition: DIODE GEN PURP 200V 2,9A à 277A

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
20 μA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.05 V @ 7 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, eSMP®
Capacité @ Vr, F:
76pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-277A (SMPC)
Temps de récupération inverse (trr):
2.6 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-277, 3-PowerDFN
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2.9A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Les produits de base
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
20 μA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.05 V @ 7 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, eSMP®
Capacité @ Vr, F:
76pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-277A (SMPC)
Temps de récupération inverse (trr):
2.6 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 175°C
Emballage / boîtier:
TO-277, 3-PowerDFN
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2.9A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Les produits de base
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre concerné.
Diode 200 V 2.9A montée à la surface TO-277A (SMPC)