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Détails de produit

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Définition: DIODE GEN PURP 1KV 1A

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 μA @ 1 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.3 V @ 3 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/286 (en anglais seulement)
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, axiale
Temps de récupération inverse (trr):
5 μs
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 μA @ 1 V
Type de montage:
À travers le trou
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.3 V @ 3 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Military, MIL-PRF-19500/286 (en anglais seulement)
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
A, axiale
Temps de récupération inverse (trr):
5 μs
Mfr:
Technologie des puces
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
A, axiale
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
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Diode 1000 V 1A à travers le trou A, axiale