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Définition: DIODE GEN PURP 100V 1A sous SMA

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
950 mV @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Sous-SMA
Temps de récupération inverse (trr):
35 ns
Mfr:
Taïwan Semiconductor Corporation
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-219AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
ES1B
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Diodes Les produits de rectification Diodes simples
statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
950 mV @ 1 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Sous-SMA
Temps de récupération inverse (trr):
35 ns
Mfr:
Taïwan Semiconductor Corporation
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-219AB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
ES1B
Les résultats de l'enquête
Diode 100 V 1A montée à la surface Sub SMA